TMR型磁传感器「GIGS®」
TMR型磁传感器「GIGS®(nano-Granular In Gap magnetic Sensor)」是利用了比GMR磁气传感器的磁阻变化率更高的TMR效果而制造的磁传感器。 其大小只有GMR的十分之一，电力消耗量只有GMR的百分之一。
具有省能源，小型化，高感度，大范围的磁感知性能的TMR型磁传感器。
GIGS®是电气磁气材料研究所的注册商标。
TMR型磁传感器「GIGS®」的特长
- 能独立决定感度和阻抗值。
- 阻抗值与间隙宽度呈反比例关系。
- 感度大小可通过磁轭的高宽比来改变。
- 改变阻抗值与感度，仍能得到磁滞的极小感度曲线。
- 高磁阻抗变化率
- 磁阻抗变化率(6～10%)
- 高电阻低电耗。
- 80kΩ～600kΩ
- 小型化
- 单元：1mm以下
- H桥构成（4个单元）可达到尺寸0.65mm×0.65mm
GIGS®代表性设计案例
高感度，高输出，并且具有极低电耗的小型品，可代替强磁性MR，GMR，半导体MR等并实现其功能。
- 高感度回转传感器
- 汽车上使用的各种传感器（回转检测，角度检测，位置检测）
- 电池驱动可搬用的应用
- 供数个排列使用的应用
GIGS®的动作
对外部磁场具有灵敏反应的线圈能有效地磁化高阻抗软磁性薄膜，通过这个过程能得到较高的感度。
